Nella produzione di semiconduttori, film sottili di alluminio vengono generalmente depositati sulle superfici dei chip utilizzando la tecnologia metal sputtering (sputtering). Lo sputtering è un processo di deposizione fisica in fase di vapore (PVD), che colpisce un bersaglio metallico utilizzando la ionizzazione e l'accelerazione di gas inerti come **argon (Ar)**, provocando la fuoriuscita degli atomi sul bersaglio e il deposito sulla superficie della cialda da lavorare.
1. Principio base dello sputtering
Il cuore del processo di sputtering è l'utilizzo di ioni di argon (Ar+) accelerati ad alta tensione, che colpiscono la superficie del bersaglio di alluminio. Quando gli ioni di argon colpiscono il bersaglio di alluminio, gli atomi di alluminio vengono strappati dalla superficie del bersaglio e spruzzati sulla superficie del wafer. Lo spessore, l'uniformità e la qualità del film di alluminio possono essere controllati regolando parametri quali la portata del gas, la tensione del target e il tempo di deposizione.
2. Vantaggi del processo di sputtering
Alta precisione: la tecnologia Sputtering può controllare con precisione lo spessore e la velocità di deposizione delle pellicole di alluminio, adatte per la produzione fine di semiconduttori.
Deposizione a bassa temperatura: il processo di sputtering ha una temperatura di deposizione inferiore rispetto alla deposizione chimica da fase vapore (CVD) e quindi evita danni alle alte temperature al materiale, rendendolo particolarmente adatto per processi sensibili alla temperatura.
Buona qualità della pellicola: ottimizzando le condizioni di sputtering, la pellicola di alluminio può avere una buona adesione e planarità per la successiva lavorazione.